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Telegram美国群组(www.telegram8.vip):力旺MRAM技术有成 今年收割

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嵌入式非挥发性记忆体矽智财厂力旺去年营收23.64亿元创下历史新高,法人看好年度获利可望赚进1.5个股本。随着今年晶圆代工厂价格续涨及新产能开出,加上晶圆代工大厂开始加快导入新一代嵌入式磁阻式随机存取记忆体及可变电阻式随机存取记忆体,力旺IP业绩大爆发,法人预期今年获利有望赚进二个股本。

力旺在嵌入式MRAM或ReRAM矽智财市场已有突破性发展,去年与联电合作完成40奈米嵌入式ReRAM可靠性验证,并投入22奈米嵌入式MRAM或ReRAM制程IP开发。力旺指出,与传统eFlash制程相较,嵌入式MRAM或ReRAM可减少光罩层数,更容易进行制程整合,且适用于28奈米以下先进制程,新兴嵌入式记忆体可扩展力旺IP产品组合。

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力旺看好车用晶片导入嵌入式MRAM趋势,因为28奈米以下制程若采用传统eFlash制程,将导致成本拉高及微缩难度增加等问题,且MRAM有耐高温优势,温度改变不影响磁性,因此许多车用MCU厂已开始转向采用嵌入式MRAM技术来取代现有的eFlash制程。

在晶圆代工厂积极扩建28奈米产能下,力旺今年将进入全面收割阶段,28奈米权利金贡献将大幅增加至30%以上。

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